中信证券研报指出，以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、有余电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高级特质，是半导体产业往常发展的热切标的。碳化硅衬底位于碳化硅产业链的中枢上游，采用碳化硅功率器件的高压快充新动力汽车更能妥当其加多续航里程、镌汰充电时刻和援助电板容量等需求，瞻望将成为往常的主流接收，启动碳化硅衬底需求进一步增长。

　　碳化硅衬底｜高压快充趋势启动行业扩产降本，8英寸导电型衬底蓄势待发

　　碳化硅衬底位于碳化硅产业链的中枢上游，采用碳化硅功率器件的高压快充新动力汽车更能妥当其加多续航里程、镌汰充电时刻和援助电板容量等需求，瞻望将成为往常的主流接收，启动碳化硅衬底需求进一步增长。

　　▍碳化硅衬底是总共产业链的中枢上游。

　　以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、有余电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高级特质，是半导体产业往常发展的热切标的。碳化硅可灵验打破传统硅基半导体器件过头材料的物理极限，勾引出更妥当高压、高温、高频、高功率等条目的新一代半导体器件。据CASA，碳化硅衬底占器件制酿老本的47%，是SiC器件制造的中枢法子。碳化硅衬底分为导电型和半绝缘型两类：导电型碳化硅衬底主要欺诈于制造功率器件，半绝缘型碳化硅衬底主要欺诈于制造氮化镓射频器件。其下流欺诈世俗，触及新动力汽车、光伏、工业、交通运载、通讯基站以及雷达等领域的十余个行业。

　　▍需求端：新动力汽车启动导电型碳化硅衬底高增长，半绝缘碳化硅衬底替代硅基占据射频器件市集份额。

　　导电型衬底方面，增量来自于新动力高电压平台订单放量。半绝缘型衬底方面，证实Yole预测，2025年功率在3W以上的射频器件市聚积，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市集约50%的份额。证实Yole统计，2022年民众导电型/半绝缘型碳化硅衬底市集鸿沟分辩为5.12/2.42亿好意思元，瞻望2026年民众碳化硅市集鸿沟为20.53亿好意思元，导电型和半绝缘型碳化硅衬底市集鸿沟将分辩达到16.20亿好意思元和4.33亿好意思元，2022-2026年时刻导电型和半绝缘型碳化硅衬底市集鸿沟的CAGR分辩为33.37%和15.66%。

　　▍供给端：民众6英寸导电型碳化硅衬底降本提速，8英寸导电型碳化硅衬底大鸿沟量产有望打破。

　　2023年以来，民众碳化硅半导体市集快速发展并依然迎来放量期，外洋巨头纷纷加大插足试验扩产策动，国内企业纷纷跟进扩产，证实各公司公告的数据，总产能有望从2022年的62万片/年扩产至2026年的600万片/年~650万片/年，CAGR朝上了70%。从供应链的角度来看，6英寸SiC器件市集依然进入红海时间，8英寸是SiC厂商往常的破局之谈，国内多家厂商均有8英寸衬底联系扩产策动，现在已有超10家企业的8英寸SiC衬底进入了送样、小批量分娩阶段，有望迎来放量打破。

　　▍价钱端：CASA预测碳化硅衬底价钱每年下落5%-10%，咱们瞻望往常仍然有15%-30%的下落空间。

　　证实集微探讨数据，外洋市集2023年6英寸N型衬底约780好意思元/片，批量订单中8英寸衬底价钱是6英寸价钱3倍，瞻望2026年8英寸衬底价钱下落至1800好意思元/片。近期国内6英寸碳化硅衬底与外洋供应商的报价各别依然扩大至30%。证实CASA预测，往常SiC衬底价钱将以每年5%-10%的速率下落，咱们瞻望碳化硅衬底价钱往常仍然有15%-30%的下落空间，当下流碳化硅功率器件老本下落至硅基功率器件的2~2.5倍时，瞻望碳化硅功率器件将冉冉替代硅基功率器件。

　　▍风险成分：

　　行业竞争加重风险；高压快充渗入率不足预期；产能设立不足预期；碳化硅衬底老本斥责不足预期；国度产业战术变化风险；交易摩擦风险。

　　▍投资策略：

　　碳化硅衬底位于碳化硅产业链的中枢上游，采用碳化硅功率器件的高压快充新动力汽车更能妥当其加多续航里程、镌汰充电时刻和援助电板容量等需求，瞻望将成为往常的主流接收，启动碳化硅衬底需求进一步增长。